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美光廣島砸1.5兆日圓:AI記憶體需求下的日本擴產起跑

來源:ITmedia AI+ · 發布:2026/07/05 11:00(JST) · 分類:科技前沿與創新
美光廣島砸1.5兆日圓:AI記憶體需求下的日本擴產起跑
示意圖:AI 生成(Jp¥online)
編輯觀點
重點要點
  • マイクロン(美光)廣島工場新無塵室起工式
  • 含新建案在內廣島投資總額達1.5兆日圓
  • 2028年後半開始搬入製造設備
  • AI帶動的記憶體需求成為日本半導體投資新引擎
觀察分析

日本半導體復興的下一根支柱在廣島動土。美光(マイクロンメモリジャパン)7月為廣島工場產能增強的新無塵室舉行起工式,因應AI帶動的記憶體需求,2028年後半開始搬入製造設備;含這座新棟在內,廣島投資總額達1.5兆日圓。

美光廣島是日本境內少數的尖端DRAM量產據點,主力瞄準AI伺服器必需的HBM(高頻寬記憶體)世代——與熊本TSMC(邏輯代工)、北海道Rapidus(尖端邏輯)構成日本半導體地圖的三本柱,且都有經產省補助金加持。對區域經濟,1.5兆的設備投資將複製熊本模式:建設需求、高薪雇用、周邊地價與住宅市場連動上行,廣島版的「半導體城下町」效應值得地產投資人建檔。對台灣讀者,美光擴產是台廠設備與材料供應鏈的直接訂單來源,也是記憶體景氣循環的重要供給變數——2028年設備搬入的時點,恰好卡在下一輪供需辯論的中心。

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歷史上的今天(主題相關)
  • 2013美光收購爾必達,取得廣島工場,日本DRAM血脈延續
  • 2024TSMC熊本廠開幕,日本半導體補助政策全面加速
名詞釋義(維基百科)
DRAM中文維基
動態隨機存儲器,又稱動態RAM,是一種半導體存儲器,通常被用作主存儲器,用於存儲運行中的程式和數據。在DRAM中,每個記憶單元由一個電容和一個電晶體組成,主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進制位元(bit)是1還是0。
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